SiC活性化用アニール装置(EBAS) EC7200

EC7200  SiC活性化用アニール装置(EBAS)

当社独自技術の電子衝撃加熱方式(Electron Bombardment Anneal System)により、優れたアニール特性を実現した真空高温アニール装置です。

EC7200  SiC活性化用アニール装置(EBAS)

用途

SiCパワーデバイス研究開発・生産用(活性化アニール)

特長

  • 高い電気的活性化の実現
    (高温プロセスによる低シート抵抗値の実現)
    (Diodeにおけるリーク電流の低減)
  • 急速加熱、急速冷却
    (RTAプロセスと清浄な真空雰囲気)
  • 優れた再現性
    (シート抵抗値均一性±4.9%、1,000回ランニング)
  • 生産量に応じてアニール室を最大3室まで搭載可能

仕様

装置構成:
クラスター式(アニール室の搭載数は最大3室)
CtoC方式
対応基板サイズ:
φ3"基板、φ4"基板、φ6"基板

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