原子拡散接合装置 BC7000
電子部品製造装置 研究開発・小規模生産装置
常温接合で未来を拓く!
BC7000原子拡散接合装置は、キヤノンアネルバが長年培ってきた超高真空技術、薄膜成膜技術を駆使し、開発した装置です。
基板搬送～成膜～接合～回収までを全自動オペレーションにて真空一貫処理するφ4インチ、φ6インチ対応装置です。
接合に用いる金属膜の種類、膜厚を最適化することで、ウェハーの材質によらず、常温、無加圧で原子レベルでの接合が可能となります。
特長
常温で接合
金属薄膜の表面における原子拡散で接合するため、熱を加える必要がありません。
無加圧で接合
接合面に形成した金属薄膜の表面エネルギーを利用するため、加圧する必要がありません。
強固な接合
原子レベルで金属結合しているため、接合強度が高く、信頼性、耐久性に優れています。
異種材料の接合
常温で出来るため、熱に弱いデバイスの接合や熱膨張率の異なる異種材料の接合を可能にします。
接合のイメージ
接合する2枚のウェハー表面にスパッタリングにて金属薄膜を形成し，引き続き同一超高真空中で成膜面を相互に接触させ、金属薄膜表面における原子拡散を利用して接合する。
接合材料例
当社の接合装置はφ100mm、φ150mmウェハーで以下の素材の接合ができます。
- Si（シリコン）
- Glass（ガラス）
- Quartz（石英）
- Various Ceramic（各種セラミック）
- LT（チタン酸リチウム）
- LN（ニオブ酸リチウム）
- GaAs（ガリウム砒素）
- SiC（炭化ケイ素）
- GaN（窒化ガリウム）
- AlN（窒化アルミニウム）
- InP（リン化インジウム）
- Sapphire（サファイア）
- Diamond（ダイアモンド）
- その他各種基板に対応
用途
- 高密度実装
- パワーデバイス
- 光学デバイス
- LED
- 高周波デバイス
- MEMS
仕様
- 装置構成：
- クラスター式
- 対応基板サイズ：
- φ100mm, φ150mm
- 主排気系：
- ターボ分子ポンプ
- 電力：
- 3φ AC200V±10% 125A 50/60Hz (D種接地)
- 冷却水：
- 30〜34L/min 0.2〜0.3MPa 15〜30℃
- 圧縮空気：
- 0.5〜0.8MPa
- プロセスガス：
- 0.15〜0.4MPa
- スループット：
- 3.5min/set (条件により異なります)
- 質量：
- 3720kg (装置本体)
- 設置面積：
- W3300mm × D5100mm
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