メタルゲート形成用スパッタリング装置 FC7100

半導体デバイス製造装置

当社独自のスパッタリング技術によるダメージレス・メタルゲート量産用の、φ300mm対応クラスター式スパッタリング装置です。

FC7100 Metal Gate形成用PVD装置

用途

メタルゲート量産

特長

  • 超高真空Co-スパッタによる膜組成制御
  • 極薄膜の高精度な膜厚制御(0.1nm単位)、優れた膜厚均一性 (1σ<1%)
  • Under 32nmダマシン・ゲート形成プロセスにも対応可能(PCM-PVDによる高カバレッジ成膜)
  • 小型カソード採用による低い材料コスト(容易な材料変更)

仕様

装置構成:
クラスター式
対応基板サイズ:
φ300mm基板

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