表面反応エピタキシ装置 FC7000/ FC7200

半導体デバイス製造装置

表面反応エピタキシ装置FC7000/ FC7200は当社が長年培ってきた超高真空技術を応用した成膜装置です。10-8Pa台の超高真空の極めてクリーンな成膜環境と、基板だけを加熱する完全コールドウォール方式により、表面反応のみに限定した成膜を実現します。
キャパシタ形成、選択エピタキシャル成長などのセルフアラインプロセスに貢献します。

FC7000(φ200mm)/FC7200(φ300mm)  表面反応エピタキシ装置

用途

半導体デバイスの研究開発、量産

  • 歪シリコン Embedded SiGe,Si:C
  • SiGeチャネル、GeチャネルMOSFET

特長

  • 低温でのSi、SiGe、SiGeC、Geの選択成長が可能
  • ローカルローディング効果がほぼ無し
  • 良好な膜厚均一性及びGe、C含有率均一性
  • 実用的な成長速度

仕様

装置構成:
クラスター式
対応基板サイズ:
【FC7000】 φ150mm基板、φ200mm基板
【FC7200】 φ300mm基板

お問い合わせ

お電話からお問い合わせ

東日本エリア:装置事業部 営業部

 
電話番号
044-980-5157

西日本エリア:装置事業部 営業部 西日本営業課

 
電話番号
06-6821-9701
受付時間
平日    8時30分~17時00分
※土日祝日、弊社休業日は休みです。

このページのトップヘ