スパッタリング装置 NC7900

半導体デバイス製造装置

不揮発メモリー(NVM)として注目されているMRAM用多層膜を成膜する量産向けスパッタリング装置です。
STT-MRAMに採用される面内磁化型MTJと垂直磁化型MTJ両方の成膜に対応可能です。
研究開発装置として使用されてきたスパッタリング装置 EC7800をMRAM量産に対応できるよう、高スループット、低パーティクル化を実現しました。

スパッタリング装置 NC7900

用途

MRAM量産のMTJ素子多層膜成膜

特長

  • 超高真空下での斜め入射回転成膜
  • 多層薄膜形成技術、良質な界面コントロール
  • 面内磁化型MTJと垂直磁化型MTJの両方に対応可能
  • 垂直磁化型MTJにおいて20枚/hのスループットを実現

仕様

装置構成:
クラスター式
チャンバー構成:
スパッタ室、エッチング室、酸化処理室、ヒート室
対応基板サイズ:
φ300mm
カソード:
RMCカソード(DC、RF方式)、最大32基
カソードサイズ:
7.1 inch
主排気系:
ターボー分子ポンプ、クライオポンプ


用語の説明

NVM:
不揮発性メモリ(Non-Volatile Memory)の略。
電源がなくても記録保持するメモリ。
MRAM:
磁気ランダムアクセスメモリ(Magnetoresistive Random Access Memory)の略。
MTJ素子を用いて、記録、読出しを行う不揮発性メモリ。このメモリは電源を切っても記録保持されるため、信頼性の必要となる箇所へ使用されます。
STT-MRAM:
スピン注入磁化反転(Spin Transfer Torque)-MRAMの略。
磁性層の磁化反転にスピン注入磁化反転を利用した次世代のMRAM。
MTJ:
磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction)の略。
TMR(Tunnel Magneto-Resistance) 効果によって電気抵抗が変化する素子。
垂直磁化型MTJ:
磁性膜に対して垂直方向に磁化させた記録方式。
面内磁化型MTJ:
垂直磁化型に対し、磁性膜に水平に磁化させた記録方式。

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