MRAM用ドライエッチング装置 NC8000

半導体デバイス製造装置

従来の反応性エッチングでは加工が困難なMRAM多層磁性膜を一括してエッチングすることが可能なイオンビームエッチング装置です。
高い加工性能と生産性を実現できます。

NC8000  MRAM用ドライエッチング装置

用途

MRAMの量産

特長

  • 大口径Gridによる高い均一性と生産性
  • クランプレスホルダーによる全面エッチング
  • OES(光学式エンドポイントシステム)によるMRAM多層膜で使用される各種金属膜の検出

仕様

装置構成:
クラスター式
対応基板サイズ:
φ300mm

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